b、8Gb共5种容量的自研SLC NAND Flash存储芯片产品，这一些产品选用4xnm和2xnm工艺制作，并已完成量产。

  2024年上半年，江波龙根据2xnm工艺推出了新一代2Gbit SPI NAND Flash芯片产品，其接口速度到达166MHz，并支撑DTR（双倍传输）功用，这使得数据传输速率得到了明显提高。

  此外，江波龙还运用多芯片封装技能，将SLC NAND存储颗粒与LPDDR存储颗粒集成封装，开宣告多种规范组合的NAND based MCP产品。除了已有的SLC NAND与LPDDR2集成封装的MCP产品外，2024年上半年还推出了SLC NAND与LPDDR4x集成封装的MCP产品，这一些产品首要运用在于5G通讯模组，并已进入小批量出产阶段。

  江波龙着重，其自研存储芯片产品在出产的悉数过程中施行了全过程质量管理，完成了颗粒级可追溯性，DPPM（每百万缺点机会中的不良品数）小于100，这保证了产品的性能与稳定性。在消费、工业及轿车运用场景中，江波龙的存储芯片出货量敏捷添加，至今累计出货量已超越1亿颗。

  这一成果不仅是江波龙公司的一个重大打破，也是国产存储芯片职业的一个重要展开。随技能的渐渐的提高和市场需求的增加，国产存储芯片有望在全球市场上扮演更重要的人物。江波龙的成功事例为其他国产存储芯片制作商供给了名贵的经历和决心，预示着国产存储技能在未来将有更多的打破和展开。

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